MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 750 mΩ Miglioramento, 600 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

1,80 €

(IVA esclusa)

2,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 300 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Più 3000 unità in spedizione dal 20 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
50 - 500,036 €1,80 €
100 - 2000,031 €1,55 €
250 - 4500,031 €1,55 €
500 - 9500,03 €1,50 €
1000 +0,029 €1,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-0114
Codice costruttore:
DMP2900UW-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-323

Serie

DMP2900

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.3W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.8 mm

Lunghezza

2mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex 20V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 6V con dissipazione di potenza termica di 0,3 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

Link consigliati