MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 450 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie
- Codice RS:
- 222-2832
- Codice costruttore:
- DMN2710UW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
105,00 €
(IVA esclusa)
129,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3000 unità in spedizione dal 01 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,035 € | 105,00 € |
| 9000 - 42000 | 0,029 € | 87,00 € |
| 45000 + | 0,026 € | 78,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2832
- Codice costruttore:
- DMN2710UW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 900mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 450mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 6 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 900mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 6 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 0 900 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 950 mA Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 1 SOT-323, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 2 SOT-323, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 3 SOT-323, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 2 SOT-323, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 2 SOT-323, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 900 mΩ SOT-23, Montaggio superficiale
