MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 900 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata
• Progettazione celle ad alta densità
• Corrente di saturazione elevata
• Commutazione superiore
• Prestazioni robuste e affidabili
• Tecnologia DMOS

• Commutazione del carico
• Convertitore DC/DC
• Protezione della batteria
• Controllo della gestione dell'alimentazione
• Comando motore DC

on Semiconductor NDS352AP è un transistor a effetto di campo di potenza in modalità potenziata di livello logico a canale P prodotto utilizzando alta densità di celle, tecnologia DMOS. Questo processo ad altissima densità è particolarmente personalizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo.

Eccezionale resistenza in stato attivo e massima capacità di corrente c.c.
Contenitore a montaggio superficiale SOT-23 con profilo standard industriale

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.