MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 500 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 178-7591
Codice costruttore:: NDS352AP
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 500 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

351,00 €

(IVA esclusa)

429,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 3000 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,117 €	351,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7591
Codice costruttore:: NDS352AP
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	900mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	NDS352AP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	500mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.94mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.92mm
	Larghezza	1.4 mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 900mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOT-23
	Serie NDS352AP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 500mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.94mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.92mm
	Larghezza 1.4 mm
	Standard automobilistico No

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.