2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale N, 8 Ω, 200 mA 60 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
822-2602
Codice costruttore:
DMN65D8LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

800mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.43nC

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Altezza

1mm

Larghezza

1.35mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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