MOSFET DiodesZetex, canale N, 4,5 Ω, 360 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-0595
Codice costruttore:: DMN53D0LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4,5 Ω, 360 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-0595
Codice costruttore:: DMN53D0LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN53D0L, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	360 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	4,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	310 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Larghezza	1.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,6 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.4V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4,5 Ω, 360 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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