Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 50 V, 3 Ω Miglioramento, 360 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie DMN53D0LW-7

Codice RS:: 828-3206
Codice costruttore:: DMN53D0LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 50 V, 3 Ω Miglioramento, 360 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie DMN53D0LW-7

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100 - 180	0,079 €	1,58 €
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Codice RS:: 828-3206
Codice costruttore:: DMN53D0LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	360mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	50V
	Serie	DMN53D0LW
	Tipo di package	SC-70
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	420mW
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.75V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.2nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	2.2mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 360mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V
	Serie DMN53D0LW
	Tipo di package SC-70
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 420mW
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.75V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.2nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 2.2mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

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