MOSFET DiodesZetex, canale N, 750 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-4073
Codice costruttore:: DMG1012UW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 750 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-4073
Codice costruttore:: DMG1012UW-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	290 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Lunghezza	2.2mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	0,737 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.35mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 750 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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