MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8329
Codice costruttore:: DMN3065LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,064 €	192,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8329
Codice costruttore:: DMN3065LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3065LW, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	85 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	770 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	11,7 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET DiodesZetex, canale N, 85 mΩ, 4 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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