MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 360 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8660
Codice costruttore:: DMN53D0LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 360 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,038 €	114,00 €

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Codice RS:: 165-8660
Codice costruttore:: DMN53D0LW-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN53D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	360 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	420 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,2 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 360 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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