2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale N, 13 Ω, 260 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 822-2598
- Codice costruttore:
- DMN63D8LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 100 unità*
7,10 €
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8,70 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,071 € | 7,10 € |
| 500 - 900 | 0,064 € | 6,40 € |
| 1000 - 1400 | 0,047 € | 4,70 € |
| 1500 - 2900 | 0,041 € | 4,10 € |
| 3000 + | 0,038 € | 3,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 822-2598
- Codice costruttore:
- DMN63D8LDW-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 260mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 400mW | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 260mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 400mW | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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