MOSFET DiodesZetex, canale N, 13 Ω, 260 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-2598
Codice costruttore:: DMN63D8LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13 Ω, 260 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 822-2598
Codice costruttore:: DMN63D8LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN63D8LDW-7 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	260 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	13 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,87 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13 Ω, 260 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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