2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, 1.8 Ω, 830 mA 20 V, SC-89, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
166-3723
Codice costruttore:
FDY1002PZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

830mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SC-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

625mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.6mm

Larghezza

1.2 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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