MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 950 mΩ Miglioramento, 915 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie NTE4153NT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1203
Codice costruttore:
NTE4153NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

915mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-89

Serie

NTE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.82nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.95 mm

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
MOSFET A Segnale piccolo 20V 915mA 230 mOhm singolo canale N SC-89 con protezione ESD

RDS(ON) basso Per Migliorare L'Efficienza del sistema

Tensione Di Soglia Bassa, 1,5 V Nominale

Gate con protezione ESD

Applicazioni:

Interruttori Di Carico/Alimentazione

Circuiti di conversione alimentazione

Gestione della batteria

Portatili come Telefoni cellulari, PDA, fotocamere digitali, Cercapersone, ecc.

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