MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 1 Ω Miglioramento, 760 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

243,00 €

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3000 +0,081 €243,00 €

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Codice RS:
124-5403
Codice costruttore:
NTE4151PT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

760mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

310mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.1nC

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.95 mm

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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