MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 760 mA, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-6301
Codice costruttore:: NTA4151PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 760 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-6301
Codice costruttore:: NTA4151PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	760 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	300 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Lunghezza	1.65mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	2,1 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	0.9mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 760 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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