MOSFET onsemi, canale P, 1,2 Ω, 350 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 166-2663
- Codice costruttore:
- FDY100PZ
- Costruttore:
- onsemi
Non disponibile
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- 166-2663
- Codice costruttore:
- FDY100PZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 350 mA | |
| Tensione massima drain source | 20 V | |
| Tipo di package | SOT-523 (SC-89) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 1,2 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate minima | 0.65V | |
| Dissipazione di potenza massima | 625 mW | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -8 V, +8 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 1 nC a 4,5 V | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Larghezza | 0.98mm | |
| Altezza | 0.78mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 350 mA | ||
Tensione massima drain source 20 V | ||
Tipo di package SOT-523 (SC-89) | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 1,2 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate minima 0.65V | ||
Dissipazione di potenza massima 625 mW | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -8 V, +8 V | ||
Carica gate tipica @ Vgs 1 nC a 4,5 V | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Larghezza 0.98mm | ||
Altezza 0.78mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
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