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    MOSFET onsemi, canale N, 950 mΩ, 915 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale

    Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
    Unità

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

    0,052 €

    (IVA esclusa)

    0,063 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    3000 +0,052 €156,00 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    184-1063
    Codice costruttore:
    NTE4153NT1G
    Costruttore:
    onsemi

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain915 mA
    Tensione massima drain source20 V
    Tipo di packageSOT-523 (SC-89)
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source950 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima1.1V
    Tensione di soglia gate minima0.45V
    Dissipazione di potenza massima300 mW
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source±6 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Lunghezza1.7mm
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza0.95mm
    Carica gate tipica @ Vgs1,82 nC @ 4,5 V
    Standard per uso automobilisticoAEC-Q101
    Altezza0.8mm
    Tensione diretta del diodo1.1V
    Minima temperatura operativa-55 °C

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