MOSFET onsemi, canale N 20 V, 950 mΩ Miglioramento, 915 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

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Codice RS:
184-1063
Codice costruttore:
NTE4153NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

915mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-89

Serie

NTE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.82nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Altezza

800μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

950μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET A Segnale piccolo 20V 915mA 230 mOhm singolo canale N SC-89 con protezione ESD

RDS(ON) basso Per Migliorare L'Efficienza del sistema

Tensione Di Soglia Bassa, 1,5 V Nominale

Gate con protezione ESD

Applicazioni:

Interruttori Di Carico/Alimentazione

Circuiti di conversione alimentazione

Gestione della batteria

Portatili come Telefoni cellulari, PDA, fotocamere digitali, Cercapersone, ecc.

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