MOSFET Vishay, canale P, 8 Ω, 135 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-6899
Codice costruttore:
SI1025X-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

135 mA

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SC-89-6

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

250 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

2

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

1.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

1,7 nC a 15 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

1.2mm

Altezza

0.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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