MOSFET Vishay, canale P, 8 Ω, 135 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6899
Codice costruttore:: SI1025X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 8 Ω, 135 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-6899
Codice costruttore:: SI1025X-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si1025X, P-Channel 60V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	135 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SC-89-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	250 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.2mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,7 nC a 15 V
Altezza	0.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 8 Ω, 135 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Vishay Semiconductor

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