MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 113 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SiJ450DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2887
Codice costruttore:
SiJ450DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

113A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 45 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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