MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 113 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1869,00 €

(IVA esclusa)

2280,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,623 €1.869,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
228-2898
Codice costruttore:
SiR450DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

113A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 45 V.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati