MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 3.97 mΩ Miglioramento, 110 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR150DP-T1-RE3

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Codice RS:
200-6844
Codice costruttore:
SIR150DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.97mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.15mm

Larghezza

5.15 mm

Altezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIR150DP-T1-RE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Tensione di rottura drain-source 45 V.

Sintonizzati per Qg e Qoss bassi

100 % Rg e collaudato UIS

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