MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.212 Ω Miglioramento, 1.9 A, 6 Pin, US, Superficie SI1480BDH-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9891
Codice costruttore:
SI1480BDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SI

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.212Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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