MOSFET Vishay, canale Tipo P 150 V, 2.6 Ω Miglioramento, 0.52 A, 6 Pin, US, Superficie SI1411DH-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7915
Codice costruttore:
SI1411DH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

0.52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

US

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

-1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale P TrenchFET serie SI1411DH Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 150 V. Viene utilizzato nei circuiti a morsetto attivi negli alimentatori c.c./c.c.

Contenitore SC-70 piccolo, termicamente avanzato

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Senza piombo

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