MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7182
Codice costruttore:: SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-7182
Codice costruttore:: SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA449DJ, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	38 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.15mm
Larghezza	2.15mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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