MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.018 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA462DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1222
Codice costruttore:
SIA462DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiA462DJ

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

800μm

Lunghezza

2.15mm

Larghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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