MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.018 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA462DJ-T1-GE3

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Codice RS:
814-1222
Codice costruttore:
SIA462DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

SiA462DJ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-Free

Larghezza

2.15 mm

Lunghezza

2.15mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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