MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 34 mΩ Miglioramento, 4 A, 6 Pin, US, Superficie

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Codice RS:
180-7264
Codice costruttore:
SI1401EDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 12V e una tensione gate-source massima di 10V. Ha una resistenza drain-source di 34mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 2,8 W e corrente di drain continua di 4A. La tensione minima e massima di pilotaggio per questo transistore sono rispettivamente 1,5 V e 4,5 V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Prestazioni ESD tipiche di • 1500V

Applications


• Telefono cellulare

• DSC

• GPS

• interruttore di distribuzione di carico

• MP3

• interruttore PA e interruttore batteria per dispositivi portatili

• Console di gioco portatile

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

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