MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 814-1213
Codice costruttore:: SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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20 - 180	0,352 €	7,04 €
200 - 480	0,26 €	5,20 €
500 - 980	0,218 €	4,36 €
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Codice RS:: 814-1213
Codice costruttore:: SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiA449DJ, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	10,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	38 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.15mm
Lunghezza	2.15mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Vishay, canale P, 38 mΩ, 10,4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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