MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.038 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA449DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1213
Codice costruttore:
SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.038Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.15 mm

Altezza

0.8mm

Lunghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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