MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.038 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA449DJ-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1213
Codice costruttore:
SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.038Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.1nC

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.15 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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