MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.038 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA449DJ-T1-GE3

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Codice RS:
814-1213
Codice costruttore:
SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.038Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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