MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.212 Ω Miglioramento, 1.9 A, 6 Pin, US, Superficie SI1480BDH-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

420,00 €

(IVA esclusa)

510,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,14 €420,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
279-9890
Codice costruttore:
SI1480BDH-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

US

Serie

SI

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.212Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

Link consigliati