MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 34 mΩ Miglioramento, 4 A, 6 Pin, US, Superficie SI1401EDH-T1-GE3

Codice RS:: 180-7898
Codice costruttore:: SI1401EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 34 mΩ Miglioramento, 4 A, 6 Pin, US, Superficie SI1401EDH-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7898
Codice costruttore:: SI1401EDH-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	12V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	US
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	34mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.1nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	10V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	2.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.2mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package US
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.1nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 2.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.2mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 12V e una tensione gate-source massima di 10V. Ha una resistenza drain-source di 34mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 2,8 W e corrente di drain continua di 4A. La tensione minima e massima di pilotaggio per questo transistore sono rispettivamente 1,5 V e 4,5 V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Prestazioni ESD tipiche di • 1500V

Applications

• Telefono cellulare

• DSC

• GPS

• interruttore di distribuzione di carico

• MP3

• interruttore PA e interruttore batteria per dispositivi portatili

• Console di gioco portatile

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato