MOSFET Vishay, canale P, 0,034 O, 4 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 12V e una tensione gate-source massima di 10V. Ha una resistenza drain-source di 34mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 2,8 W e corrente di drain continua di 4A. La tensione minima e massima di pilotaggio per questo transistore sono rispettivamente 1,5 V e 4,5 V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Prestazioni ESD tipiche di • 1500V

• Telefono cellulare
• DSC
• GPS
• interruttore di distribuzione di carico
• MP3
• interruttore PA e interruttore batteria per dispositivi portatili
• Console di gioco portatile

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato