MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.066 Ω Miglioramento, 3.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2367DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3136
Codice costruttore:
SI2367DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

Si2367DS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.066Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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