MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.066 Ω Miglioramento, 3.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2367DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3136
Codice costruttore:
SI2367DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

Si2367DS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.066Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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