MOSFET Vishay, canale P, 130 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 812-3136
- Codice costruttore:
- SI2367DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità
0,118 €
(IVA esclusa)
0,144 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,118 € | 5,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 812-3136
- Codice costruttore:
- SI2367DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 2,2 A |
| Tensione massima drain source | 20 V |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 130 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 0.4V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,7 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -8 V, +8 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 1.4mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 15 nC a 8 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 3.04mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1.02mm |
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