MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 16 mΩ Miglioramento, 18.3 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si4425FDY-T1-GE3

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Codice RS:
200-6796
Codice costruttore:
Si4425FDY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay Si4425FDY-T1-GE3 è un MOSFET 30V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen IV p

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