2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 55 mΩ, 6.6 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-4018
Codice costruttore:
DMN6040SSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101

Altezza

1.5mm

Larghezza

3.95 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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