MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 29 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1029
Codice costruttore:: DMC3026LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 29 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1029
Codice costruttore:: DMC3026LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMC3026LSD, Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	8,2 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	29 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,6 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	4.95mm
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	13,2 nC a 10 V
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 29 mΩ, 8,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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