MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 45 mΩ, 5,7 A, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-3208
Codice costruttore:: DMC4040SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 45 mΩ, 5,7 A, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-3208
Codice costruttore:: DMC4040SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

40v Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	5,7 A, 7,5 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ, 45 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	2,14 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	33,7 nC a 10 V, 37,6 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Larghezza	3.95mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 45 mΩ, 5,7 A, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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