2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo P, 45 mΩ, 5.8 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 823-4030
- Codice costruttore:
- DMP4025LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
8,71 €
(IVA esclusa)
10,63 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 0,871 € | 8,71 € |
| 30 - 120 | 0,784 € | 7,84 € |
| 130 + | 0,697 € | 6,97 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 823-4030
- Codice costruttore:
- DMP4025LSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.14W | |
| Tensione diretta Vf | -0.7V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 3.95mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.14W | ||
Tensione diretta Vf -0.7V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 3.95mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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