MOSFET DiodesZetex, canale P, 45 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-4030
Codice costruttore:: DMP4025LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 45 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-4030
Codice costruttore:: DMP4025LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

40v Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	45 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	2,14 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	33,7 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.95mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 45 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale P, Diodes Inc.

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