MOSFET DiodesZetex, canale N, 22 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0209
Codice costruttore:: DMG4800LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 22 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,16 €	400,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-0209
Codice costruttore:: DMG4800LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	22 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.6V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Lunghezza	4.95mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	3.95mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,56 nC a 5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 22 mΩ, 7,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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