2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale N, 100 mΩ, 4.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 169-7498
- Codice costruttore:
- DMN6070SSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
472,50 €
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577,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,189 € | 472,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 169-7498
- Codice costruttore:
- DMN6070SSD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 750mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Larghezza | 3.95mm | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 750mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Larghezza 3.95mm | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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