2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 100 mΩ, 4.1 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

435,00 €

(IVA esclusa)

530,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,174 €435,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
169-7498
Codice costruttore:
DMN6070SSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.6nC

Tensione diretta Vf

0.75V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Larghezza

3.95 mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati