MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-3278
Codice costruttore:: DMN4031SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,192 €

(IVA esclusa)

0,234 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,192 €	480,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-3278
Codice costruttore:: DMN4031SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.6V
Dissipazione di potenza massima	2,6 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.95mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	18,6 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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