2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 41 mΩ, 7.6 A 20 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

395,00 €

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482,50 €

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Codice RS:
169-7464
Codice costruttore:
DMN2041LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.16W

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

3.95 mm

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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