MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-4666
Codice costruttore:: DMTH6016LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,403 €

(IVA esclusa)

0,492 €

(IVA inclusa)

4500 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,403 €	1.007,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-4666
Codice costruttore:: DMTH6016LSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMTH6016LSD, 60V +175°C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,6 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Serie	DMT
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	28 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	4.95mm
Larghezza	3.95mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	17 a 10 V nC
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

Link consigliati