2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 28 mΩ, 7.6 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1110,00 €

(IVA esclusa)

1355,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 2500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,444 €1.110,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
146-4666
Codice costruttore:
DMTH6016LSD-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMT

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.95mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.95 mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati