2 MOSFET di potenza DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 28 mΩ, 33.2 A 60 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 182-6944
- Codice costruttore:
- DMTH6016LPD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1072,50 €
(IVA esclusa)
1307,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,429 € | 1.072,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-6944
- Codice costruttore:
- DMTH6016LPD-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 28mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Minima temperatura operativa | 175°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 37.5W | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Lunghezza | 5.85mm | |
| Larghezza | 4.95 mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 28mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Minima temperatura operativa 175°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 37.5W | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1.05mm | ||
Lunghezza 5.85mm | ||
Larghezza 4.95 mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
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