2 MOSFET di potenza DiodesZetex Duale, canale N, 28 mΩ, 33.2 A 60 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7321
Codice costruttore:
DMTH6016LPD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

33.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

700mV

Dissipazione di potenza massima Pd

37.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

+175°C

Lunghezza

5.85mm

Larghezza

4.95mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Valore nominale fino a +175° C - ideale per alte temperature ambiente

Ambienti

Elevata efficienza di conversione

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.

Sistemi di gestione del motore

Elettronica di controllo del corpo

Convertitori c.c.-c-c.

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