2 MOSFET di potenza DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 28 mΩ, 33.2 A 60 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7321
Codice costruttore:
DMTH6016LPD-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerDI5060

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

37.5W

Tensione diretta Vf

0.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5.85mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Larghezza

4.95 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Valore nominale fino a +175° C - ideale per alte temperature ambiente

Ambienti

Elevata efficienza di conversione

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.

Sistemi di gestione del motore

Elettronica di controllo del corpo

Convertitori c.c.-c-c.

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