1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.18 Ω, 17.1 A 60 V, PowerDI5060, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 213-9211
- Codice costruttore:
- DMT6015LPDW-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
852,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,341 € | 852,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9211
- Codice costruttore:
- DMT6015LPDW-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMT6015LPDW | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.18Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 7.9W | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Larghezza | 6.4 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMT6015LPDW | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.18Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 7.9W | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Larghezza 6.4 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
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