MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie
- Codice RS:
- 213-9229
- Codice costruttore:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
2585,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,034 € | 2.585,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 213-9229
- Codice costruttore:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10H4M6SPS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10H4M6SPS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie DiodesZetex DMTH10H4M6SPS è un MOSFET a canale N progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione che la rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
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