MOSFET DiodesZetex, canale N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 11.9 A, 8 Pin, SOIC, Superficie DMT6016LSS-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
921-1177
Codice costruttore:
DMT6016LSS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

DMT6016LSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

700mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.95mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

3.95mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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