MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 11.9 A, 8 Pin, SOIC, Superficie DMT6016LSS-13
- Codice RS:
- 921-1177
- Codice costruttore:
- DMT6016LSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 921-1177
- Codice costruttore:
- DMT6016LSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMT6016LSS | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 28mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Larghezza | 3.95 mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMT6016LSS | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 28mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Larghezza 3.95 mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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