MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie DMG4413LSS-13
- Codice RS:
- 751-4102
- Codice costruttore:
- DMG4413LSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
5,64 €
(IVA esclusa)
6,88 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1580 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 0,564 € | 5,64 € |
| 30 - 120 | 0,464 € | 4,64 € |
| 130 - 620 | 0,406 € | 4,06 € |
| 630 - 1240 | 0,358 € | 3,58 € |
| 1250 + | 0,281 € | 2,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 751-4102
- Codice costruttore:
- DMG4413LSS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMG | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.2W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 4.95mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 3.95 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMG | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.2W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 4.95mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 3.95 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 10 12 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 10 17 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 10 16 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 130 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 45 mΩ8 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 60 mΩ2 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 95 mΩ1 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex P 8 SOIC, Montaggio superficiale
