MOSFET DiodesZetex, canale P, 10,2 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-9544
Codice costruttore:: DMG4413LSS-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 10,2 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,376 €

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0,459 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,376 €	940,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-9544
Codice costruttore:: DMG4413LSS-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	10,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	2,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	46 nC a 5 V
Lunghezza	4.95mm
Larghezza	3.95mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 10,2 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc

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