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    MOSFET DiodesZetex, canale P, 10,2 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

    0,347 €

    (IVA esclusa)

    0,423 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    999999999 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    2500 +0,347 €867,50 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    121-9544
    Codice costruttore:
    DMG4413LSS-13
    Costruttore:
    DiodesZetex

    Paese di origine:
    CN
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleP
    Corrente massima continuativa di drain12 A
    Tensione massima drain source30 V
    Tipo di packageSOIC
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin8
    Resistenza massima drain source10,2 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima2.1V
    Dissipazione di potenza massima2,2 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-20 V, +20 V
    Materiale del transistorSi
    Lunghezza4.95mm
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Carica gate tipica @ Vgs46 nC a 5 V
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza3.95mm
    Altezza1.5mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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