MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF9317TRPBF
- Codice RS:
- 827-3916
- Codice costruttore:
- IRF9317TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
10,70 €
(IVA esclusa)
13,06 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 18.400 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,535 € | 10,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 827-3916
- Codice costruttore:
- IRF9317TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-455 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-455 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 10.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 10.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 10.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie DMG4413LSS-13
- MOSFET Infineon Tipo P 30 V 10.2 A PG-DSO-8, Superficie
- MOSFET Infineon 11.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 6.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
