MOSFET Infineon, canale P, 10,2 mΩ, 16 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7937
Codice costruttore:: IRF9317TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 10,2 mΩ, 16 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,358 €

(IVA esclusa)

0,437 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,358 €	1.432,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7937
Codice costruttore:: IRF9317TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF9317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	10,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 4,5 V, 61 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale P, 10,2 mΩ, 16 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon

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