MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 25 mΩ Miglioramento, 10.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
168-7928
Codice costruttore:
IRF7240TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, 10,5 A di corrente continua massima di drenaggio, 40 V di tensione massima di sorgente di drenaggio - IRF7240TRPBF


Questo MOSFET a canale P eccelle nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 10,5A e una tensione di drenaggio-sorgente di 40V, è progettato per il montaggio in superficie in un package SOIC compatto. Con una lunghezza di 5 mm, una larghezza di 4 mm e un'altezza di 1,5 mm, è adatto a varie applicazioni elettroniche, compresi i sistemi di gestione delle batterie.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta carichi di corrente elevati, fino a 10,5 A, ideali per le attività più impegnative

• Funziona efficacemente in modalità di potenziamento per un controllo migliore

• Progettato per le prestazioni termiche con un leadframe personalizzato

• Adatto a più applicazioni, per risparmiare spazio a bordo

• Compatibile con i processi di saldatura standard, come quelli a infrarossi e a onda

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie per il monitoraggio delle prestazioni

• Utilizzato nei circuiti di gestione del carico che richiedono una manipolazione efficiente della potenza

• Adatto al settore automobilistico dove spazio ed efficienza sono fondamentali

• Integrato negli alimentatori per una gestione affidabile del carico

Quali sono le caratteristiche termiche principali di questo dispositivo?


Il dispositivo presenta caratteristiche termiche migliorate grazie al design personalizzato del leadframe, che gli consente di operare comodamente in un intervallo di temperature di giunzione compreso tra -55°C e +150°C.

Qual è l'impatto della resistenza di accensione sulle prestazioni complessive?


Con una Rds(on) eccezionalmente bassa, pari a soli 25mΩ, questo MOSFET riduce significativamente le perdite di potenza durante il funzionamento, aumentando l'efficienza dei circuiti di potenza e migliorando la dissipazione del calore.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, i parametri del dispositivo, come la carica di gate tipica di 73 nC a 10 V, consentono un funzionamento efficace in applicazioni ad alta frequenza, rendendolo adatto a vari dispositivi elettronici.

Che cosa si deve considerare per un uso ottimale nei circuiti?


È essenziale garantire che la tensione gate-source rimanga entro i limiti massimi di ±20V per evitare danni, mantenendo così l'affidabilità e le prestazioni del dispositivo nell'applicazione.

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